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用于一維板簧引導(dǎo)的改善的動態(tài)幾何結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:42662881發(fā)布日期:2025-08-05 18:50閱讀:26來源:國知局

本公開總體上涉及一種光刻系統(tǒng),所述光刻系統(tǒng)被配置成通過控制物鏡的位置來測量物鏡在引導(dǎo)平臺上的位置。引導(dǎo)平臺可以包括撓曲件,當(dāng)物鏡被定位時,所述撓曲件減小引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。


背景技術(shù):

1、光刻設(shè)備是一種將期望的圖案施加至襯底(通常是在襯底的目標(biāo)部分上)上的機器。例如,光刻設(shè)備可以用于集成電路(ic)的制造中。在這種情況下,可以將替代地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成要在ic的單層上形成的電路圖案。可以將所述圖案轉(zhuǎn)印到襯底(例如硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如,包括一部分管芯、一個或若干個管芯)上。典型地,通過將圖案成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行圖案的轉(zhuǎn)印。通常,單個襯底將包含被連續(xù)圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)格。已知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)器和所謂的掃描器,在步進(jìn)器中,通過將整個圖案一次曝光到目標(biāo)部分上來輻照每個目標(biāo)部分,在掃描器中,通過在輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案的同時平行或反向平行于這個掃描方向同步地掃描所述目標(biāo)部分來輻照每個目標(biāo)部分。還可以通過將圖案壓印到襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印到襯底上。

2、在光刻操作期間,不同的處理步驟可能需要在襯底上順序地形成不同的層。因此,可能需要以高準(zhǔn)確度相對于形成在襯底上的先前的圖案來定位所述襯底。通常,對準(zhǔn)標(biāo)記被放置在所述襯底上以相對于第二物體被對準(zhǔn)和定位。光刻設(shè)備可以使用對準(zhǔn)裝置以檢測所述對準(zhǔn)標(biāo)記的位置以及使用所述對準(zhǔn)標(biāo)記來對準(zhǔn)所述襯底,以確保從掩模的準(zhǔn)確曝光。測量在兩個不同層處的對準(zhǔn)標(biāo)記之間的未對準(zhǔn),作為重疊誤差。

3、為了監(jiān)測所述光刻過程,測量所述經(jīng)圖案化的襯底的參數(shù)。參數(shù)可以包括例如在經(jīng)圖案化的襯底中或經(jīng)圖案化的襯底上形成的連續(xù)層之間的重疊誤差和經(jīng)顯影的光敏抗蝕劑的臨界線寬??梢栽诋a(chǎn)品襯底上和/或在專用量測目標(biāo)上執(zhí)行這種測量。存在用于對光刻過程中形成的微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行測量的各種技術(shù),包括使用掃描電子顯微鏡和各種專用工具。快速且非侵入形式的專用檢查工具是這樣的散射儀:其中輻射束被引導(dǎo)到所述襯底的表面上的目標(biāo)上,并且測量散射束或反射束的性質(zhì)。通過比較所述束在由所述襯底反射或散射之前和之后的性質(zhì),可以確定所述襯底的性質(zhì)。這可以通過例如將反射束與關(guān)于已知性質(zhì)的已知測量結(jié)果的庫中存儲的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來完成。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到所述襯底上并測量被散射到特定窄角度范圍內(nèi)的輻射的光譜(作為波長的函數(shù)的強度)。相比之下,角分辨散射儀使用單色輻射束并測量所述散射輻射的強度,作為角度的函數(shù)。

4、這樣的光學(xué)散射儀可以被用于測量參數(shù),諸如經(jīng)顯影的光敏抗蝕劑的臨界尺寸、或形成在所述經(jīng)圖案化的襯底中或其上的兩個層之間的重疊誤差(ov)。所述襯底的性質(zhì)可以通過比較照射束在其由所述襯底反射或散射之前和之后的性質(zhì)來確定。

5、由于引導(dǎo)平臺的運動,光刻系統(tǒng)可能具有性能問題。所述運動會導(dǎo)致聚焦控制問題,這影響束。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、光刻系統(tǒng)被配置成測量物鏡在引導(dǎo)平臺上的位置,其中所述引導(dǎo)平臺可以包括撓曲件布置,所述撓曲件布置在物鏡被定位時減小所述引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。撓曲引導(dǎo)機構(gòu)可以用于定位所述物鏡以進(jìn)行重疊測量。

2、在一些實施例中,提供了引導(dǎo)平臺。物鏡可以設(shè)置在所述引導(dǎo)平臺上。所述物鏡可以包括被配置成聚焦束的光學(xué)器件。多個洛倫茲馬達(dá)可以設(shè)置在引導(dǎo)平臺上并且被配置成定位所述物鏡。磁體組件可以包括至少兩個磁體,其中所述至少兩個磁體可以被配置成平衡所述引導(dǎo)平臺。編碼器可以設(shè)置在支架組件上,所述支架組件設(shè)置在引導(dǎo)平臺上,其中編碼器可以被配置成測量物鏡的位置。至少一個撓曲件和至少一個板簧可以附接到引導(dǎo)平臺并且被配置成當(dāng)物鏡被定位時提供引導(dǎo)平臺在x軸和y軸上的剛度,并且至少一個撓曲件具有的長度使得當(dāng)物鏡被定位時減小引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。

3、在一些實施例中,所述至少一個撓曲件被配置成限制在z軸上的運動。

4、在一些實施例中,至少一個撓曲件具有在x軸上的旋轉(zhuǎn)模式(rx),其中rx模式限制引導(dǎo)平臺繞x軸的搖擺。

5、在一些實施例中,rx模式被最小化。

6、在一些實施例中,所述引導(dǎo)平臺還包括熱沉,其中所述熱沉向所述撓曲件提供額外的剛度。

7、在一些實施例中,所述撓曲件包括l形狀。

8、在一些實施例中,所述l形狀被錨定在所述物鏡處以提供剛性連接點。

9、在一些實施例中,方法包括使用設(shè)置在引導(dǎo)平臺上的物鏡聚焦束,其中所述物鏡包括光學(xué)器件。所述物鏡可以使用安裝在引導(dǎo)平臺上的多個洛倫茲馬達(dá)來定位。磁體組件可以被安裝,所述磁體組件包括至少兩個磁體并且被配置成平衡所述引導(dǎo)平臺。物鏡的位置可以用安裝在所述引導(dǎo)平臺上的支架組件上的編碼器來測量。至少一個撓曲件和至少一個板簧可以被附接并且可以被配置成當(dāng)物鏡被定位時提供引導(dǎo)平臺在x軸和y軸上的剛度并且至少一個撓曲件具有的長度使得當(dāng)物鏡被定位時減小引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。

10、在一些實施例中,光刻設(shè)備可以包括被配置成照射圖案形成裝置的圖案的照射系統(tǒng)。支撐件可以被配置成支撐圖案形成裝置并且包括襯底。投影系統(tǒng)可以被配置成將所述圖案的圖像投影到襯底上。具有引導(dǎo)平臺的量測系統(tǒng)可以包括設(shè)置在引導(dǎo)平臺上的物鏡,其中所述物鏡包括被配置成聚焦輻射束的光學(xué)器件。多個洛倫茲馬達(dá)可以設(shè)置在被配置成定位物鏡的引導(dǎo)平臺上。磁體組件可以包括至少兩個磁體,其中所述至少兩個磁體被配置成平衡所述引導(dǎo)平臺。編碼器可以設(shè)置在支架組件上,所述支架組件設(shè)置在引導(dǎo)平臺上,其中編碼器被配置成測量物鏡的位置。至少一個撓曲件和至少一個板簧可以附接到引導(dǎo)平臺并且被配置成當(dāng)物鏡被定位時提供引導(dǎo)平臺在x軸和y軸上的剛度并且至少一個撓曲件具有的長度使得當(dāng)物鏡被進(jìn)一步定位時減小引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。

11、下面參考附圖詳細(xì)描述本公開的其它特征以及各種實施例的結(jié)構(gòu)和操作。應(yīng)注意,本公開不限于本文描述的具體實施例。本文僅出于說明性的目的來呈現(xiàn)這樣的實施例?;诒景l(fā)明中包含的教導(dǎo),相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將明白額外的實施例。



技術(shù)特征:

1.一種引導(dǎo)平臺,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)平臺,其中,所述至少一個撓曲件被配置成限制在所述z軸上的運動。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)平臺,其中,所述至少一個撓曲件具有旋轉(zhuǎn)模式(rx),其中,所述rx模式限制所述引導(dǎo)平臺繞所述x軸的搖擺。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)平臺,其中,所述引導(dǎo)平臺還包括熱沉,其中,所述熱沉向所述撓曲件提供額外的剛度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)平臺,其中,所述撓曲件包括l形狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引導(dǎo)平臺,其中,所述l形狀被錨定在所述物鏡處以提供剛性連接點。

7.一種方法,包括:

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,還包括利用所述撓曲件限制所述引導(dǎo)平臺在所述z軸上的運動。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括利用所述撓曲件的rx模式限制所述引導(dǎo)平臺繞所述x軸的搖擺。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,還包括最小化所述rx模式。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括將熱沉附接到所述引導(dǎo)平臺以向所述撓曲件提供額外的剛度。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中,所述撓曲件包括l形狀。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,還包括將所述撓曲件定位在所述物鏡上以提供剛性連接點。

14.一種光刻設(shè)備,包括:

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光刻設(shè)備,其中,所述至少一個撓曲件被配置成限制在所述z軸上的運動。


技術(shù)總結(jié)
本文中描述的實施例包括引導(dǎo)平臺和光刻系統(tǒng),所述光刻系統(tǒng)被配置成通過控制物鏡的位置來測量物鏡在引導(dǎo)平臺上的位置。所述引導(dǎo)平臺可以包括撓曲件,當(dāng)所述物鏡被定位以提高所述物鏡的整體聚焦準(zhǔn)確度時,所述撓曲件減小所述引導(dǎo)平臺在z軸上的剛度。撓曲引導(dǎo)機構(gòu)可以用于定位所述物鏡以進(jìn)行重疊測量。

技術(shù)研發(fā)人員:佩里·謝因,阿波羅夫·加格,尼古拉斯·克里斯蒂安·史密斯,李振源,C·W·里德
受保護(hù)的技術(shù)使用者:ASML荷蘭有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/8/4
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