背景技術(shù)：

1、電平移位器在較低電壓電路系統(tǒng)與較高電壓電路系統(tǒng)之間介接。電平移位器安全地在較高電壓電路系統(tǒng)與較低電壓電路系統(tǒng)之間轉(zhuǎn)換信號。電平移位器可隔離且保護較低電壓電路系統(tǒng)免受較高電壓(來自較高電壓電路系統(tǒng))的影響，否則可能損壞較低電壓電路系統(tǒng)。電平移位器的一個應(yīng)用是用于直流(dc)-dc電壓轉(zhuǎn)換器的柵極驅(qū)動器。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在描述的至少一個實例中，一種電平移位器包含具有第一輸入和第二輸入的低側(cè)。電平移位器還包含高側(cè)，其中高側(cè)具有鎖存器，所述鎖存器具有第一端子和第二端子。高側(cè)還包含電流比較器，所述電流比較器包含第一電流鏡和第二電流鏡。高側(cè)包含隔離電路系統(tǒng)，所述隔離電路系統(tǒng)包含第一晶體管和第二晶體管，其中第一晶體管具有第一控制端子，第二晶體管具有第二控制端子，第一晶體管耦合在第一端子與第一電流鏡之間，第二晶體管耦合在第二端子與第二電流鏡之間，第一控制端子耦合到第二電流鏡，且第二控制端子耦合到第一電流鏡。

2、在描述的至少一個實例中，一種電平移位器包含具有第一輸入和第二輸入的高側(cè)。電平移位器還包含低側(cè)，其中低側(cè)具有鎖存器，所述鎖存器具有第一端子和第二端子。低側(cè)包含電流比較器，所述電流比較器包含第一電流鏡和第二電流鏡。低側(cè)還包含隔離電路系統(tǒng)，所述隔離電路系統(tǒng)包含第一晶體管和第二晶體管，其中第一晶體管具有第一控制端子，第二晶體管具有第二控制端子，第一晶體管耦合在第一端子與第一電流鏡之間，第二晶體管耦合在第二端子與第二電流鏡之間，第一控制端子耦合到第二電流鏡，且第二控制端子耦合到第一電流鏡。

3、在描述的至少一個實例中，一種電平移位器包含低側(cè)，所述低側(cè)具有配置成接收切換電平移位器的輸出的一或多個信號的第一輸入和第二輸入。電平移位器還包含高側(cè)，所述高側(cè)具有鎖存器，所述鎖存器具有第一端子和第二端子。高側(cè)還包含電流比較器，所述電流比較器包含第一電流鏡和第二電流鏡，其中電流比較器配置成執(zhí)行第一電流與第二電流之間的電流比較。高側(cè)包含隔離電路系統(tǒng)，所述隔離電路系統(tǒng)包含第一晶體管和第二晶體管，其中第一晶體管具有第一控制端子，第二晶體管具有第二控制端子，第一晶體管耦合在第一端子與第一電流鏡之間，第二晶體管耦合在第二端子與第二電流鏡之間，第一控制端子耦合到第二電流鏡，且第二控制端子耦合到第一電流鏡，且其中隔離電路系統(tǒng)配置成將電流比較器與鎖存器隔離。

技術(shù)特征：

1.一種電平移位器，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位器，其進一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡耦合到所述第一輸入，且其中所述第二電流鏡耦合到所述第二輸入。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位器，其中所述鎖存器包含第一反相器和第二反相器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡包含第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管具有n:1大小比率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電平移位器，其中所述第二電流鏡包含第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管和所述第六晶體管具有n:1大小比率。

7.一種電平移位器，其包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡耦合到所述第一輸入，且其中所述第二電流鏡耦合到所述第二輸入。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡包含第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管具有n:1大小比率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電平移位器，其中所述第二電流鏡包含第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管和所述第六晶體管具有n:1大小比率。

11.一種電平移位器，其包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其中所述鎖存器配置成至少部分地基于所述電流比較而提供所述電平移位器的所述輸出。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其進一步包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡耦合到所述第一輸入，且其中所述第二電流鏡耦合到所述第二輸入。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其中所述第一電流鏡包含第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管和所述第四晶體管具有n:1大小比率。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電平移位器，其中所述第二電流鏡包含第五晶體管和第六晶體管，所述第五晶體管和所述第六晶體管具有n:1大小比率。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電平移位器，其中所述隔離電路系統(tǒng)配置成至少部分地基于所述電流比較和所述n:1大小比率而將所述電流比較器與所述鎖存器隔離。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電平移位器，其中較大的n:1比率增加所述電流比較的范圍，其中所述隔離電路系統(tǒng)將所述電流比較器與所述鎖存器隔離。

19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其中所述電流比較器配置成基于所述第一電流與所述第二電流之間的比率而拒絕共模噪聲。

20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電平移位器，其進一步包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電平移位器，其中所述復(fù)制分支配置成從所述第一電流和所述第二電流中減去所述共模電流。

技術(shù)總結(jié)
在實例中，一種電平移位器(200)包含具有第一輸入(118)和第二輸入(120)的低側(cè)(104)。所述電平移位器(200)還包含高側(cè)(102)，其中所述高側(cè)(102)具有鎖存器(110)，所述鎖存器具有第一端子(248)和第二端子(250)。所述高側(cè)(102)還包含電流比較器(106)，所述電流比較器包含第一電流鏡和第二電流鏡。所述高側(cè)(102)包含隔離電路系統(tǒng)(108)，所述隔離電路系統(tǒng)包含第一晶體管(240)和第二晶體管(242)，其中所述第一晶體管(240)具有第一控制端子，所述第二晶體管(242)具有第二控制端子，所述第一晶體管(240)耦合在所述第一端子(248)與所述第一電流鏡之間，所述第二晶體管(242)耦合在所述第二端子(250)與所述第二電流鏡之間，所述第一控制端子耦合到所述第二電流鏡，且所述第二控制端子耦合到所述第一電流鏡。

技術(shù)研發(fā)人員：林日熙
受保護的技術(shù)使用者：德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/7/24