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本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種相變存儲器的自適應控制方法、相變存儲器、介質及電子設備。、相變存儲器(phase?change?memory，簡稱pcm)在長期工作過程中面臨嚴峻的可靠性挑戰(zhàn)，其問題源于相變材料在循環(huán)寫入/擦除操作下的不可逆老化特性。隨著循環(huán)次數(shù)的增加，存儲單元的閾值電壓(v...

本申請總體上涉及電子器件領域，尤其涉及一種存儲系統(tǒng)的操作方法以及存儲系統(tǒng)。、存儲器是信息技術的基礎，作為下一代的非易失半導體存儲器的候選者，相變存儲器(phase?change?random?access?memory，pcm)由于高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強...

本申請涉及計算機硬件測試，尤其涉及一種存儲設備的測試方法、裝置、電子設備和存儲介質。、在存儲設備的測試環(huán)節(jié)，數(shù)據(jù)寫入操作是關鍵測試項目。相關技術多采用簡單順序寫入(例如從存儲設備的起始地址開始，以不跳躍的方式從起始地址依次遞增直至結束地址，對每條地址寫入數(shù)據(jù))或隨機寫入(隨機挑選存儲設備的...

本申請涉及存儲，尤其涉及一種存儲器件的讀取方法、裝置以及存儲器。、存儲器通過會根據(jù)不同寫讀時間區(qū)間的閾值電壓分布情況設置不同的讀取電壓，將寫讀間隔時間劃分為幾個區(qū)間，確保每個讀取電壓都能在一個時間區(qū)間內正確的分辨存儲單元的電平狀態(tài)(set、reset)。、然而，由于存儲器所存在的閾值電壓漂...

本文件涉及半導體領域，尤其涉及一種電容耦合電壓型讀出放大器和讀出方法。、自旋轉移矩磁性隨機存取存儲器(stt-mram)是一種有前途的下一代存儲技術候選，因其緊湊的位單元面積而聞名。此外，通過放松保持要求來針對較低的寫入電流優(yōu)化磁隧道結(mtj)疊層，可以使其適用于高密度工作存儲器，已經(jīng)證...

發(fā)明構思涉及存儲器裝置，并且更具體地，涉及包括頁緩沖器電路的存儲器裝置。、近來，由于信息通信裝置是多功能的，因此期望增大存儲器裝置的容量和集成度。存儲器裝置可包括用于將數(shù)據(jù)存儲在存儲器單元中或輸出來自存儲器單元的數(shù)據(jù)的頁緩沖器電路，并且頁緩沖器電路可包括半導體器件（諸如，晶體管）。、頁緩沖...

本公開的多種實施例總體涉及存儲器裝置，并且更具體地，涉及與偽通道的讀取操作相關的存儲器裝置。、近來，諸如高帶寬存儲器（hbm）裝置的堆疊存儲器系統(tǒng)因優(yōu)異的帶寬和能效而得到了廣泛的應用。與使用并行數(shù)據(jù)總線的現(xiàn)有存儲器系統(tǒng)不同，堆疊存儲器系統(tǒng)包括由通過硅通孔（tsv，以下稱為“通孔”）互連的基...

本公開的實施例涉及存儲器，更具體地，涉及存儲器中的數(shù)據(jù)感測。、存儲器使用感測放大器以便感測并放大存儲單元中的數(shù)據(jù)。感測放大器感測并放大位線之間的小電壓差。當位線之間甚至存在很小的電勢差時，理想情況下，感測放大器需要精確地感測并放大電勢差。然而，在現(xiàn)實中，這是不可能的。、用于感測放大器精確感...

本申請屬于芯片，尤其涉及一種存儲測試電路、芯片及車輛。、目前很多芯片帶有存儲功能，例如mcu(microcontroller?unit，微控制器單元)芯片、dsp(digital?signalprocess，數(shù)字信號處理)芯片、soc(system?on?chip片上系統(tǒng))芯片等。在對芯片...

本發(fā)明涉及存儲器件，特別涉及一種自冗余備份的otp存儲單元、陣列和操作方法。、一次性可編程存儲器(one?time?programmable，otp)主要是指anti-fuse(反熔絲)。anti-fuse通過擊穿多晶硅層和n擴散層之間的ono(oxide－nitride－oxide)絕緣...

本申請涉及存儲，具體涉及一種分柵式閃存及編程方法。、閃存(flash)具有高密度、低價格、電可編程可擦除等優(yōu)點，被廣泛應用在非易失性存儲器件中。其中，浮柵型閃存具有層疊的柵極結構，其包括浮柵(floating?gate，fg)和控制柵，控制柵通過耦合以控制浮柵中電子的存儲和釋放。目前廣泛應...

本公開大體上涉及半導體存儲器及方法，且更特定來說，涉及使用亞閾值電壓用于存儲器中的映射。、存儲器裝置通常被提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路及/或外部可卸除裝置。存在包含易失性及非易失性存儲器的許多不同類型的存儲器。易失性存儲器需要電力來維持其數(shù)據(jù)且可包含隨機存取存儲器(ra...

本申請總體上涉及電子器件領域，尤其涉及一種存儲系統(tǒng)的操作方法以及存儲系統(tǒng)。、存儲器是信息技術的基礎，作為下一代的非易失半導體存儲器的候選者，相變存儲器(phase?change?random?access?memory，pcm)由于高速讀取、高可擦寫次數(shù)、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗強...

本申請的所公開實施例涉及存儲，且更具體而言，涉及一種存儲裝置及電子設備。、由于存儲裝置存儲數(shù)據(jù)的電容會隨時間自然放電，如果不及時補充電荷，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。為了確保在不同操作條件(如工藝、溫度、電壓等)下刷新(refresh)操作能夠持續(xù)保持數(shù)據(jù)的準確性，可以通過調整refresh操作的...

概括地說，本公開內容的各方面涉及人工智能，更具體地，涉及用于在人工智能中整合神經(jīng)啟發(fā)適應性以進行持續(xù)學習的方法和裝置。、持續(xù)學習(也稱為終身學習)是實現(xiàn)人工通用智能(agi)的基石之一。由于現(xiàn)實世界是動態(tài)且不可預測的，智能體需要在其整個生命周期中學習和記憶，就像生物大腦一樣，以便有效地適應...

本申請涉及芯片測試，特別是涉及一種芯片測試裝置和方法。、在當前的電子產(chǎn)品制造和測試領域，存儲芯片的質量和可靠性對產(chǎn)品的整體性能至關重要。然而，現(xiàn)有的存儲芯片測試流程存在一些顯著的局限性和問題，這些問題在實際應用中給用戶帶來了諸多不便和挑戰(zhàn)。、芯片測試裝置的設備龐大復雜，操作復雜，因此大多數(shù)...

本申請涉及計算機的，更具體地，涉及一種存儲模塊的自檢方法、裝置、芯片、介質及產(chǎn)品。、相關技術中，存儲模塊例如隨機存取存儲器(random?access?memory，ram)的指令糾錯(error?checking?and?correcting，ecc)自檢機制通過注錯單元注入ecc錯誤，...

本申請涉及數(shù)據(jù)解碼，尤其涉及一種閃存數(shù)據(jù)解碼方法、裝置、電子設備及可讀存儲介質。、目前，在通過軟解碼方法對nand閃存進行數(shù)據(jù)讀取時，采用左偏移參考電壓、無偏移參考電壓、右偏移參考電壓連續(xù)三次讀取操作，獲取讀取到的原始數(shù)據(jù)，以及對應的對數(shù)似然比（llr）表，進而在解碼過程中，利用llr表中...

本申請涉及存儲系統(tǒng)，并且涉及一種檢測硬盤的裝置。、在現(xiàn)有技術中，人工讀取硬盤表面信息或進行肉眼瑕疵檢查，存在漏檢、誤判風險，且不具備可追溯性，而硬盤的檢測工具往往專用于單一接口規(guī)格。隨著qc（入庫檢驗）增多，傳統(tǒng)逐個檢測的方式極大限制質檢效率。技術實現(xiàn)思路、本申請?zhí)峁┝艘环N檢測硬盤的裝置，...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲，具體為一種基于計算機大數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲設備。、現(xiàn)有的計算機在分析圖像的過程中，不僅需要獲取超高分辨率數(shù)字影像，還需要對進行大量的數(shù)據(jù)進行收錄，其內部電子元件在持續(xù)工作的過程中會放出大量的熱，若熱量難以發(fā)散，則極有可能會由于熱量堆積，使得元件溫度升高，進而影響電子元件的工作...